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2
www.fairchildsemi.com
FFPF20UP
3
0DN
—
Ultrafast
Dual
Diode
Electrical Characteristics
(per diode) Ta
= 25°C unless otherwise noted
*Pulse Test: Pulse Width=300
μs, Duty Cycle=2%
Symbol
Parameter
Min. Typ. Max.
Unit
VF
*
IF
= 10
A
IF
= 10
A
TC
= 25
°C
TC
= 150
°C
-
-
-
-
1.3
1.2
V
V
IR
*
VR
= 300
V
VR
= 300
V
TC
= 25
°
C
TC
= 150
°C
-
-
-
-
100
500
μA
μA
trr
IF
=
1
A, diF/dt = 100
A/μs, VR
= 30
V
IF
=
10
A, diF/dt = 200
A/μs, VR
= 195
V
TC
= 25
°C
TC
= 25
°C
-
-
-
-
35
45
ns
ns
ta
tb
Qrr
IF
=10
A, diF/dt = 200
A/μs, VR
= 195
V
TC
= 25
°C
TC
= 25
°C
TC
= 25
°
C
-
-
-
11
13
20
-
-
-
ns
ns
nC
WAVL
Avalanche Energy (L
=
2
0
mH)
20
-
-
mJ
?2005 Fairchild Semiconductor
Cor
poration
FFPF20UP30DN Rev. C1
Test Circuit and Waveforms
Figure 1. Diode Reverse Recovery Test Circuit & Waveform
Figure 2. Unclamped Inductive Switching Test Circuit & Waveform
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